性能特點
采用第6代IGBT硅片技術,損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術,正向導通壓降低
硅片結溫可高達175°C
硅片運行溫度最高可達150°C
內部集成NTC測溫電阻
全系列共享同一封裝平臺
有條件接受客戶定制

第6代NX系列IGBT模塊產品一覽(1200V)
第6代NX系列IGBT模塊產品一覽(1700V)
第6.1代NX系列IGBT模塊
性能特點
同第六代,低損耗,且最高結溫達175°CViso = 4000Vrms
NX-M封裝模塊擴展到600A電流等級